NT5CB256M16CP-DI vs W9751G6KB-25 对比

详细并排对比 NT5CB256M16CP-DI 出自 Nanya Technology 和 W9751G6KB-25 出自 Winbond。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 量产中

规格对比

参数 NT5CB256M16CP-DI W9751G6KB-25
品牌 Nanya Technology Winbond
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.50 $0.92
存储器类型 DDR3L SDRAM Volatile DRAM (DDR2 SDRAM)
存储组织 256M x 16 32M words x 16 bits
Density 4 Gb —
电源电压 1.35 V (DDR3L) 1.8 V typical
数据速率 1600 Mbps/pin (max) 800 MT/s
封装 TFBGA-96 84-ball WBGA / TFBGA, 8 x 12.5 mm
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
工作温度范围 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
存储容量 — 512 Mbit (32M x 16)
Speed Grade — -25 (DDR2-800)
Clock Frequency — 400 MHz
Access Time — 57.5 ns (CAS latency timing window)
接口类型 — Parallel DDR2 (SSTL_18)
Refresh Cycles — 8K (per JEDEC DDR2 standard)
Burst Length — 4 or 8 (programmable)
CAS 延迟 — Programmable (typically 3 to 6)
On-Die Termination — Yes (ODT)
Self Refresh — Yes
工作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
安装类型 — Surface Mount
RoHS 状态 — Compliant

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