NT5CB256M16CP-DI vs W9751G6KB-25 Comparación

Comparación detallada lado a lado de NT5CB256M16CP-DI por Nanya Technology y W9751G6KB-25 por Winbond. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro NT5CB256M16CP-DI W9751G6KB-25
Marca Nanya Technology Winbond
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,50 $0,92
Tipo de memoria DDR3L SDRAM Volatile DRAM (DDR2 SDRAM)
Organización de memoria 256M x 16 32M words x 16 bits
Density 4 Gb —
Tensión de alimentación 1.35 V (DDR3L) 1.8 V typical
Velocidad de datos 1600 Mbps/pin (max) 800 MT/s
Encapsulado TFBGA-96 84-ball WBGA / TFBGA, 8 x 12.5 mm
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
Rango de temperatura de funcionamiento -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Tamaño de memoria — 512 Mbit (32M x 16)
Speed Grade — -25 (DDR2-800)
Clock Frequency — 400 MHz
Access Time — 57.5 ns (CAS latency timing window)
Tipo de interfaz — Parallel DDR2 (SSTL_18)
Refresh Cycles — 8K (per JEDEC DDR2 standard)
Burst Length — 4 or 8 (programmable)
Latencia CAS — Programmable (typically 3 to 6)
On-Die Termination — Yes (ODT)
Self Refresh — Yes
Temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Tipo de montaje — Surface Mount
Estado RoHS — Compliant

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