NT5CB256M16CP-DI vs W9751G6KB-25 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NT5CB256M16CP-DI par Nanya Technology et W9751G6KB-25 par Winbond. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre NT5CB256M16CP-DI W9751G6KB-25
Marque Nanya Technology Winbond
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,50 $0,92
Type de mémoire DDR3L SDRAM Volatile DRAM (DDR2 SDRAM)
Organisation de la mémoire 256M x 16 32M words x 16 bits
Density 4 Gb —
Tension d'alimentation 1.35 V (DDR3L) 1.8 V typical
Débit de données 1600 Mbps/pin (max) 800 MT/s
Boîtier TFBGA-96 84-ball WBGA / TFBGA, 8 x 12.5 mm
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
Plage de température de fonctionnement -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Taille de mémoire — 512 Mbit (32M x 16)
Speed Grade — -25 (DDR2-800)
Clock Frequency — 400 MHz
Access Time — 57.5 ns (CAS latency timing window)
Type d'interface — Parallel DDR2 (SSTL_18)
Refresh Cycles — 8K (per JEDEC DDR2 standard)
Burst Length — 4 or 8 (programmable)
Latence CAS — Programmable (typically 3 to 6)
On-Die Termination — Yes (ODT)
Self Refresh — Yes
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Type de montage — Surface Mount
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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