NT5CB256M16CP-DII vs NT5CB256M16CP-DI 比較

詳細並排比較 NT5CB256M16CP-DII 由 Nanya Technology 與 NT5CB256M16CP-DI 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII ✓ 啟用中
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NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 啟用中

規格比較

參數 NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DI
品牌 Nanya Technology Nanya Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
組織 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.35V (1.283V to 1.45V) —
I/O Voltage (VDDQ) 1.35V (1.283V to 1.45V) —
資料速率 DDR3L-1600 (PC3L-12800) 1600 Mbps/pin (max)
CAS 延遲 CL11 —
tCK (min) 1.25 ns —
Number of Banks 8 8
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
介面 SSTL-15 —
封裝 96-ball FBGA (9mm x 13mm) TFBGA-96
工作溫度範圍 -40C to +95C (industrial) -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive)
Refresh Interval 7.8us at 85C, 3.9us at 95C —
RoHS Compliant Compliant
供應電壓 — 1.35 V (DDR3L)
CAS Latency (CL) — 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
Write Latency (CWL) — 5, 6, 7, 8, 9
Additive Latency — 0-13
Lead-Free — Yes
Differential Clock Input — Yes (CK, CK#)
On-Die Termination (ODT) — Yes

資料表與資源

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