NT5CB256M16CP-DII vs NT5CB256M16CP-DI तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CB256M16CP-DII द्वारा Nanya Technology और NT5CB256M16CP-DI द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CB256M16CP-DII | NT5CB256M16CP-DI |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $5.57 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| डेटा दर | DDR3L-1600 (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin (max) |
| CAS लेटेंसी | CL11 | — |
| tCK (min) | 1.25 ns | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| इंटरफ़ेस | SSTL-15 | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | TFBGA-96 |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40C to +95C (industrial) | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) |
| Refresh Interval | 7.8us at 85C, 3.9us at 95C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.35 V (DDR3L) |
| CAS Latency (CL) | — | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Additive Latency | — | 0-13 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Differential Clock Input | — | Yes (CK, CK#) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |