NT5CC256M16CP-DIA vs H5TC4G63AFR-PBA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16CP-DIA von Nanya Technology und H5TC4G63AFR-PBA von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5CC256M16CP-DIA | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,90 | $3,98 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Datenrate | 1600 Mbps (800 MHz clock) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Gehäuse | TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | 11, 12, 13 |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Access Time (tAC) | 0.225 ns | — |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | 0°C to +95°C (Tcase) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Differential Clock Input | Yes (CK, CK#) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Density | — | 4Gb |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Schnittstelle | — | 16-bit I/O |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |