NT5CC256M16CP-DIA vs H5TC4G63AFR-PBA Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NT5CC256M16CP-DIA от Nanya Technology и H5TC4G63AFR-PBA от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIA NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA ✓ Активен
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NT5CC256M16CP-DIA H5TC4G63AFR-PBA
Бренд Nanya Technology SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,90 $3,98
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Размер памяти 4 Gbit (256M x 16) —
Скорость передачи данных 1600 Mbps (800 MHz clock) 1866 Mbps (PC3L-14900)
Напряжение питания 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
Корпус TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) 96-ball FBGA
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 11, 12, 13
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Access Time (tAC) 0.225 ns —
Диапазон рабочих температур -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) 0°C to +95°C (Tcase)
RoHS Compliant Compliant
Без галогенов Yes —
Тип монтажа Surface Mount —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes Yes
Density — 4Gb
Организация памяти — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
Интерфейс — 16-bit I/O
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену