NT5CC256M16CP-DIA vs H5TC4G63AFR-PBA Comparación

Comparación detallada lado a lado de NT5CC256M16CP-DIA por Nanya Technology y H5TC4G63AFR-PBA por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIA NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIA ✓ Activo
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro NT5CC256M16CP-DIA H5TC4G63AFR-PBA
Marca Nanya Technology SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $5,90 $3,98
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Tamaño de memoria 4 Gbit (256M x 16) —
Velocidad de datos 1600 Mbps (800 MHz clock) 1866 Mbps (PC3L-14900)
Tensión de alimentación 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
Encapsulado TFBGA-96 (9 x 13 mm, 0.8 mm pitch) 96-ball FBGA
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 11, 12, 13
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Access Time (tAC) 0.225 ns —
Rango de temperatura de funcionamiento -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) 0°C to +95°C (Tcase)
RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
Tipo de montaje Surface Mount —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes Yes
Density — 4Gb
Organización de memoria — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
Interfaz — 16-bit I/O
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

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