NT5CC256M16ER-FLNA vs NT5CC256M16CN-FLNA Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16ER-FLNA von Nanya Technology und NT5CC256M16CN-FLNA von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Nanya Technology
NT5CC256M16ER-FLNA NT5CC256M16ER-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-FLNA ✓ Aktiv
Nanya Technology
NT5CC256M16CN-FLNA NT5CC256M16CN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CN-FLNA ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter NT5CC256M16ER-FLNA NT5CC256M16CN-FLNA
Marke Nanya Technology Nanya Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $22,00 $6,00
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Versorgungsspannung 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
I/O Voltage 1.5 V —
Datenrate 1866 Mbps (max) 1866 Mbps (max)
Gehäuse 96-ball TFBGA 96-ball FBGA
Number of Terminals 96 —
Betriebstemperaturbereich 0°C to +95°C (commercial/industrial) 0C to +95C (TC) commercial, -40C to +95C industrial, -40C to +105C automotive
CAS-Latenz Programmable (e.g., 13, 14) 13 (at 1866 Mbps)
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8, 4
Number of Banks 8 8
Refresh Auto and self refresh Auto-refresh, self-refresh, TCSR
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Supply Voltage (VDD) — 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Storage Temperature — -55C to +100C

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern