NT5CC256M16ER-FLNA vs NT5CC256M16CN-FLNA Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5CC256M16ER-FLNA por Nanya Technology y NT5CC256M16CN-FLNA por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5CC256M16ER-FLNA | NT5CC256M16CN-FLNA |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $22,00 | $6,00 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| I/O Voltage | 1.5 V | — |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps (max) | 1866 Mbps (max) |
| Encapsulado | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (commercial/industrial) | 0C to +95C (TC) commercial, -40C to +95C industrial, -40C to +105C automotive |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 13, 14) | 13 (at 1866 Mbps) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8, 4 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh | Auto and self refresh | Auto-refresh, self-refresh, TCSR |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Storage Temperature | — | -55C to +100C |