NT5CC256M16ER-FLNA vs NT5CC256M16CN-FLNA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16ER-FLNA par Nanya Technology et NT5CC256M16CN-FLNA par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16ER-FLNA | NT5CC256M16CN-FLNA |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $22,00 | $6,00 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| I/O Voltage | 1.5 V | — |
| Débit de données | 1866 Mbps (max) | 1866 Mbps (max) |
| Boîtier | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C (commercial/industrial) | 0C to +95C (TC) commercial, -40C to +95C industrial, -40C to +105C automotive |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 13, 14) | 13 (at 1866 Mbps) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8, 4 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh | Auto and self refresh | Auto-refresh, self-refresh, TCSR |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Storage Temperature | — | -55C to +100C |