NT5CC256M16ER-FLNA vs NT5CC256M16CN-FLNA 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5CC256M16ER-FLNA 제조: Nanya Technology 및 NT5CC256M16CN-FLNA 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT5CC256M16ER-FLNA | NT5CC256M16CN-FLNA |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $22.00 | $6.00 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 공급 전압 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| I/O Voltage | 1.5 V | — |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps (max) | 1866 Mbps (max) |
| 패키지 | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| 동작 온도 범위 | 0°C to +95°C (commercial/industrial) | 0C to +95C (TC) commercial, -40C to +95C industrial, -40C to +105C automotive |
| CAS 레이턴시 | Programmable (e.g., 13, 14) | 13 (at 1866 Mbps) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8, 4 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh | Auto and self refresh | Auto-refresh, self-refresh, TCSR |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Storage Temperature | — | -55C to +100C |