STW12NK95Z vs STW11NK90Z Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von STW12NK95Z von STMicroelectronics und STW11NK90Z von STMicroelectronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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STW11NK90Z STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter STW12NK95Z STW11NK90Z
Marke STMicroelectronics STMicroelectronics
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,19 $2,70
Polarity N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage (Vdss) 950 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 10 A —
On-Resistance (Rds on) Max 0.90 ohm —
On-Resistance (Rds on) Typ 0.69 ohm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 230 W —
Technology SuperMESH (Zener-protected PowerMESH) —
Gate Protection Zener-protected gate oxide —
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
dv/dt Capability Extremely high [DATA_NEEDED: dv/dt value] —
Montageart Through Hole Through Hole
Gehäuse TO-247-3 TO-247
Betriebstemperatur -55C to +150C (junction) —
Gate Charge Minimized [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 900 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 9.5 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 38 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.85 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V to 5 V
Gate Charge (Qg) — 45 nC
Input Capacitance (Ciss) — 1900 pF
Output Capacitance (Coss) — 150 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 20 pF
Maximum Power Dissipation (PD) — 250 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55°C to +150°C

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