STW12NK95Z vs STW11NK90Z Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de STW12NK95Z par STMicroelectronics et STW11NK90Z par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

STMicroelectronics
STW11NK90Z STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre STW12NK95Z STW11NK90Z
Marque STMicroelectronics STMicroelectronics
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,19 $2,70
Polarity N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage (Vdss) 950 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 10 A —
On-Resistance (Rds on) Max 0.90 ohm —
On-Resistance (Rds on) Typ 0.69 ohm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 230 W —
Technology SuperMESH (Zener-protected PowerMESH) —
Gate Protection Zener-protected gate oxide —
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
dv/dt Capability Extremely high [DATA_NEEDED: dv/dt value] —
Type de montage Through Hole Through Hole
Boîtier TO-247-3 TO-247
Température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Gate Charge Minimized [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 900 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 9.5 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 38 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.85 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V to 5 V
Gate Charge (Qg) — 45 nC
Input Capacitance (Ciss) — 1900 pF
Output Capacitance (Coss) — 150 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 20 pF
Maximum Power Dissipation (PD) — 250 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55°C to +150°C

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