STW12NK95Z vs STW11NK90Z 比較

詳細な並列比較: STW12NK95Z メーカー: STMicroelectronics および STW11NK90Z メーカー: STMicroelectronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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STW12NK95Z STW12NK95Z - 950V 10A Zener SuperMESH MOSFET | STMicroelectronics

STW12NK95Z - 950V 10A Zener SuperMESH MOSFET | STMicroelectronics

STW12NK95Z ✓ 生産中
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STW11NK90Z STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ STW12NK95Z STW11NK90Z
ブランド STMicroelectronics STMicroelectronics
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.19 $2.70
Polarity N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage (Vdss) 950 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 10 A —
On-Resistance (Rds on) Max 0.90 ohm —
On-Resistance (Rds on) Typ 0.69 ohm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 230 W —
Technology SuperMESH (Zener-protected PowerMESH) —
Gate Protection Zener-protected gate oxide —
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
dv/dt Capability Extremely high [DATA_NEEDED: dv/dt value] —
実装タイプ Through Hole Through Hole
パッケージ TO-247-3 TO-247
動作温度 -55C to +150C (junction) —
Gate Charge Minimized [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 900 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 9.5 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 38 A
Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
On-Resistance (RDS(on)) — 0.85 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V to 5 V
Gate Charge (Qg) — 45 nC
Input Capacitance (Ciss) — 1900 pF
Output Capacitance (Coss) — 150 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 20 pF
Maximum Power Dissipation (PD) — 250 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55°C to +150°C

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