TLE9180D32QKXUMA1 vs 1EBN1001AEXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von TLE9180D32QKXUMA1 von Infineon und 1EBN1001AEXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter TLE9180D32QKXUMA1 1EBN1001AEXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,71 $4,41
Number of Channels 6 (3 high-side + 3 low-side) —
Driver Configuration Half-Bridge, 3-phase —
Supply Voltage Range (VS) 5.5 V to 72 V —
Maximum Pin Voltage 90 V (bridge, motor and supply pins) —
Gate Drive Current 1 A source/sink —
Battery Support 12 V, 24 V and 48 V systems —
Schnittstelle SPI (16-bit) with diagnostics —
Current Sense Amplifier Integrated, adjustable gain —
Functional Safety ASIL-C capable (per ISO 26262) —
Betriebstemperatur -40 C to +150 C junction -40 °C to +125 °C (automotive grade)
Gehäuse PG-LQFP-64-27 (LQFP-64 EP) PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel)
Package Dimensions 10 mm x 10 mm x 1.4 mm —
Montageart Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualified —
RoHS Compliant —
Product Type — Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster
Series — EiceDRIVER™ Boost (1EBN family)
Configuration — High-Side / Low-Side (non-inverting booster)
Anzahl der Ausgänge — 2 (separate source and sink paths)
Peak Output Current — ±15 A
Number of Drivers — 1
Input Signal — ASC input, active-clamping disable
Active Clamping — Yes (very fast reaction time)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS-Status — Compliant
Target Switching Stage — Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules)

Datenblätter & Ressourcen

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