TLE9180D32QKXUMA1 vs 1EBN1001AEXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de TLE9180D32QKXUMA1 par Infineon et 1EBN1001AEXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre TLE9180D32QKXUMA1 1EBN1001AEXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,71 $4,41
Number of Channels 6 (3 high-side + 3 low-side) —
Driver Configuration Half-Bridge, 3-phase —
Supply Voltage Range (VS) 5.5 V to 72 V —
Maximum Pin Voltage 90 V (bridge, motor and supply pins) —
Gate Drive Current 1 A source/sink —
Battery Support 12 V, 24 V and 48 V systems —
Interface SPI (16-bit) with diagnostics —
Current Sense Amplifier Integrated, adjustable gain —
Functional Safety ASIL-C capable (per ISO 26262) —
Température de fonctionnement -40 C to +150 C junction -40 °C to +125 °C (automotive grade)
Boîtier PG-LQFP-64-27 (LQFP-64 EP) PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel)
Package Dimensions 10 mm x 10 mm x 1.4 mm —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualified —
RoHS Compliant —
Product Type — Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster
Series — EiceDRIVER™ Boost (1EBN family)
Configuration — High-Side / Low-Side (non-inverting booster)
Nombre de sorties — 2 (separate source and sink paths)
Peak Output Current — ±15 A
Number of Drivers — 1
Input Signal — ASC input, active-clamping disable
Active Clamping — Yes (very fast reaction time)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS — Compliant
Target Switching Stage — Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules)

Fiches techniques et ressources

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