TLE9180D32QKXUMA1 vs 1EBN1001AEXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de TLE9180D32QKXUMA1 por Infineon y 1EBN1001AEXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro TLE9180D32QKXUMA1 1EBN1001AEXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,71 $4,41
Number of Channels 6 (3 high-side + 3 low-side) —
Driver Configuration Half-Bridge, 3-phase —
Supply Voltage Range (VS) 5.5 V to 72 V —
Maximum Pin Voltage 90 V (bridge, motor and supply pins) —
Gate Drive Current 1 A source/sink —
Battery Support 12 V, 24 V and 48 V systems —
Interfaz SPI (16-bit) with diagnostics —
Current Sense Amplifier Integrated, adjustable gain —
Functional Safety ASIL-C capable (per ISO 26262) —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +150 C junction -40 °C to +125 °C (automotive grade)
Encapsulado PG-LQFP-64-27 (LQFP-64 EP) PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel)
Package Dimensions 10 mm x 10 mm x 1.4 mm —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualified —
RoHS Compliant —
Product Type — Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster
Series — EiceDRIVER™ Boost (1EBN family)
Configuration — High-Side / Low-Side (non-inverting booster)
Número de salidas — 2 (separate source and sink paths)
Peak Output Current — ±15 A
Number of Drivers — 1
Input Signal — ASC input, active-clamping disable
Active Clamping — Yes (very fast reaction time)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Estado RoHS — Compliant
Target Switching Stage — Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules)

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