TLE9180D32QKXUMA1 vs 1EBN1001AEXUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: TLE9180D32QKXUMA1 제조: Infineon 및 1EBN1001AEXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 TLE9180D32QKXUMA1 1EBN1001AEXUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $4.71 $4.41
Number of Channels 6 (3 high-side + 3 low-side) —
Driver Configuration Half-Bridge, 3-phase —
Supply Voltage Range (VS) 5.5 V to 72 V —
Maximum Pin Voltage 90 V (bridge, motor and supply pins) —
Gate Drive Current 1 A source/sink —
Battery Support 12 V, 24 V and 48 V systems —
인터페이스 SPI (16-bit) with diagnostics —
Current Sense Amplifier Integrated, adjustable gain —
Functional Safety ASIL-C capable (per ISO 26262) —
동작 온도 -40 C to +150 C junction -40 °C to +125 °C (automotive grade)
패키지 PG-LQFP-64-27 (LQFP-64 EP) PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel)
Package Dimensions 10 mm x 10 mm x 1.4 mm —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualified —
RoHS Compliant —
Product Type — Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster
Series — EiceDRIVER™ Boost (1EBN family)
Configuration — High-Side / Low-Side (non-inverting booster)
출력 수 — 2 (separate source and sink paths)
Peak Output Current — ±15 A
Number of Drivers — 1
Input Signal — ASC input, active-clamping disable
Active Clamping — Yes (very fast reaction time)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS 상태 — Compliant
Target Switching Stage — Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules)

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