W634GU6RB11J vs K4B4G1646E-BYMA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von W634GU6RB11J von Winbond und K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | W634GU6RB11J | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $9,50 | $14,32 |
| Speichertyp | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| Datenrate | 1866 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| CAS-Latenz | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Gehäuse | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | FBGA-96 |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Anzahl der Pins | — | 96 |