W634GU6RB11J vs K4B4G1646E-BYMA 比較
詳細な並列比較: W634GU6RB11J メーカー: Winbond および K4B4G1646E-BYMA メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | W634GU6RB11J | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ブランド | Winbond | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $9.50 | $14.32 |
| メモリタイプ | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| データレート | 1866 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| インターフェース | Parallel | — |
| 電源電圧 | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| CASレイテンシ | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| パッケージ | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | FBGA-96 |
| 動作温度 | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| メモリ構成 | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| ピン数 | — | 96 |