1EBN1001AEXUMA1 vs TLE9180D32QKXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EBN1001AEXUMA1 por Infineon y TLE9180D32QKXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EBN1001AEXUMA1 TLE9180D32QKXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,41 $4,71
Product Type Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster —
Series EiceDRIVER™ Boost (1EBN family) —
Configuration High-Side / Low-Side (non-inverting booster) —
Número de salidas 2 (separate source and sink paths) —
Peak Output Current ±15 A —
Number of Drivers 1 —
Input Signal ASC input, active-clamping disable —
Active Clamping Yes (very fast reaction time) —
Encapsulado PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel) PG-LQFP-64-27 (LQFP-64 EP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -40 °C to +125 °C (automotive grade) -40 C to +150 C junction
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Estado RoHS Compliant —
Target Switching Stage Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules) —
Number of Channels — 6 (3 high-side + 3 low-side)
Driver Configuration — Half-Bridge, 3-phase
Supply Voltage Range (VS) — 5.5 V to 72 V
Maximum Pin Voltage — 90 V (bridge, motor and supply pins)
Gate Drive Current — 1 A source/sink
Battery Support — 12 V, 24 V and 48 V systems
Interfaz — SPI (16-bit) with diagnostics
Current Sense Amplifier — Integrated, adjustable gain
Functional Safety — ASIL-C capable (per ISO 26262)
Package Dimensions — 10 mm x 10 mm x 1.4 mm
AEC-Q100 — Qualified
RoHS — Compliant

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