1EBN1001AEXUMA1 vs TLE9180D32QKXUMA1 比較

詳細な並列比較: 1EBN1001AEXUMA1 メーカー: Infineon および TLE9180D32QKXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
TLE9180D32QKXUMA1 TLE9180D32QKXUMA1 - 6-Ch BLDC Gate Driver 90V LQFP-64 | Infineon

TLE9180D32QKXUMA1 - 6-Ch BLDC Gate Driver 90V LQFP-64 | Infineon

TLE9180D32QKXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1EBN1001AEXUMA1 TLE9180D32QKXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.41 $4.71
Product Type Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster —
Series EiceDRIVER™ Boost (1EBN family) —
Configuration High-Side / Low-Side (non-inverting booster) —
出力数 2 (separate source and sink paths) —
Peak Output Current ±15 A —
Number of Drivers 1 —
Input Signal ASC input, active-clamping disable —
Active Clamping Yes (very fast reaction time) —
パッケージ PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel) PG-LQFP-64-27 (LQFP-64 EP)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -40 °C to +125 °C (automotive grade) -40 C to +150 C junction
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS ステータス Compliant —
Target Switching Stage Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules) —
Number of Channels — 6 (3 high-side + 3 low-side)
Driver Configuration — Half-Bridge, 3-phase
Supply Voltage Range (VS) — 5.5 V to 72 V
Maximum Pin Voltage — 90 V (bridge, motor and supply pins)
Gate Drive Current — 1 A source/sink
Battery Support — 12 V, 24 V and 48 V systems
インターフェース — SPI (16-bit) with diagnostics
Current Sense Amplifier — Integrated, adjustable gain
Functional Safety — ASIL-C capable (per ISO 26262)
Package Dimensions — 10 mm x 10 mm x 1.4 mm
AEC-Q100 — Qualified
RoHS — Compliant

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