1EBN1001AEXUMA1 vs TLE9180D32QKXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EBN1001AEXUMA1 por Infineon e TLE9180D32QKXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EBN1001AEXUMA1 TLE9180D32QKXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,41 $4,71
Product Type Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster —
Series EiceDRIVER™ Boost (1EBN family) —
Configuration High-Side / Low-Side (non-inverting booster) —
Número de saídas 2 (separate source and sink paths) —
Peak Output Current ±15 A —
Number of Drivers 1 —
Input Signal ASC input, active-clamping disable —
Active Clamping Yes (very fast reaction time) —
Encapsulamento PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel) PG-LQFP-64-27 (LQFP-64 EP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -40 °C to +125 °C (automotive grade) -40 C to +150 C junction
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Status RoHS Compliant —
Target Switching Stage Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules) —
Number of Channels — 6 (3 high-side + 3 low-side)
Driver Configuration — Half-Bridge, 3-phase
Supply Voltage Range (VS) — 5.5 V to 72 V
Maximum Pin Voltage — 90 V (bridge, motor and supply pins)
Gate Drive Current — 1 A source/sink
Battery Support — 12 V, 24 V and 48 V systems
Interface — SPI (16-bit) with diagnostics
Current Sense Amplifier — Integrated, adjustable gain
Functional Safety — ASIL-C capable (per ISO 26262)
Package Dimensions — 10 mm x 10 mm x 1.4 mm
AEC-Q100 — Qualified
RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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