1EBN1001AEXUMA1 vs TLE9180D32QKXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EBN1001AEXUMA1 par Infineon et TLE9180D32QKXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EBN1001AEXUMA1 TLE9180D32QKXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,41 $4,71
Product Type Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster —
Series EiceDRIVER™ Boost (1EBN family) —
Configuration High-Side / Low-Side (non-inverting booster) —
Nombre de sorties 2 (separate source and sink paths) —
Peak Output Current ±15 A —
Number of Drivers 1 —
Input Signal ASC input, active-clamping disable —
Active Clamping Yes (very fast reaction time) —
Boîtier PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel) PG-LQFP-64-27 (LQFP-64 EP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40 °C to +125 °C (automotive grade) -40 C to +150 C junction
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Statut RoHS Compliant —
Target Switching Stage Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules) —
Number of Channels — 6 (3 high-side + 3 low-side)
Driver Configuration — Half-Bridge, 3-phase
Supply Voltage Range (VS) — 5.5 V to 72 V
Maximum Pin Voltage — 90 V (bridge, motor and supply pins)
Gate Drive Current — 1 A source/sink
Battery Support — 12 V, 24 V and 48 V systems
Interface — SPI (16-bit) with diagnostics
Current Sense Amplifier — Integrated, adjustable gain
Functional Safety — ASIL-C capable (per ISO 26262)
Package Dimensions — 10 mm x 10 mm x 1.4 mm
AEC-Q100 — Qualified
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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