1EDN7136GXTMA1 vs 2EDN7434RXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7136GXTMA1 por Infineon y 2EDN7434RXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7136GXTMA1 2EDN7434RXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,02 $0,34
Product Type Low-side gate driver IC —
Configuration Single channel, non-inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Target Switch GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET —
Input Logic TTL/CMOS compatible —
UVLO Yes (VDD under-voltage lockout) —
Propagation Delay Sub-nanosecond class —
Encapsulado PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-free Yes —
Input Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD range V] —
Output Voltage (GaN gate) Approximately 6 V (regulated) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — EiceDRIVER 2EDN
Driver Configuration — Dual-channel low-side
Number of Drivers — 2
Peak Output Current — 5 A (source/sink)
Rated Output Current — 4 A
Output Resistance (Low) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron low]
Output Resistance (High) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron high]
Propagation Delay (Typ.) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL, non-inverting
Absolute Max Input Voltage — -12 V to +22 V
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VDD range]
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature]
Active Output Voltage Clamping — Yes

Hojas de datos y recursos

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