1EDN7136GXTMA1 vs 2EDN7434RXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7136GXTMA1 par Infineon et 2EDN7434RXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7136GXTMA1 2EDN7434RXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,02 $0,34
Product Type Low-side gate driver IC —
Configuration Single channel, non-inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Target Switch GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET —
Input Logic TTL/CMOS compatible —
UVLO Yes (VDD under-voltage lockout) —
Propagation Delay Sub-nanosecond class —
Boîtier PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-free Yes —
Input Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD range V] —
Output Voltage (GaN gate) Approximately 6 V (regulated) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — EiceDRIVER 2EDN
Driver Configuration — Dual-channel low-side
Number of Drivers — 2
Peak Output Current — 5 A (source/sink)
Rated Output Current — 4 A
Output Resistance (Low) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron low]
Output Resistance (High) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron high]
Propagation Delay (Typ.) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL, non-inverting
Absolute Max Input Voltage — -12 V to +22 V
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VDD range]
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature]
Active Output Voltage Clamping — Yes

Fiches techniques et ressources

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