1EDN7136GXTMA1 vs 2EDN7434RXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7136GXTMA1 por Infineon e 2EDN7434RXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN7136GXTMA1 2EDN7434RXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,02 $0,34
Product Type Low-side gate driver IC —
Configuration Single channel, non-inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Target Switch GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET —
Input Logic TTL/CMOS compatible —
UVLO Yes (VDD under-voltage lockout) —
Propagation Delay Sub-nanosecond class —
Encapsulamento PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -40 C to +125 C —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-free Yes —
Input Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD range V] —
Output Voltage (GaN gate) Approximately 6 V (regulated) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — EiceDRIVER 2EDN
Driver Configuration — Dual-channel low-side
Number of Drivers — 2
Peak Output Current — 5 A (source/sink)
Rated Output Current — 4 A
Output Resistance (Low) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron low]
Output Resistance (High) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron high]
Propagation Delay (Typ.) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL, non-inverting
Absolute Max Input Voltage — -12 V to +22 V
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VDD range]
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature]
Active Output Voltage Clamping — Yes

Fichas técnicas e recursos

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