1EDN7511B vs 1EDN8511BXUSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7511B por Infineon y 1EDN8511BXUSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7511B 1EDN8511BXUSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,38 $0,54
Driver Type Single-channel low-side gate driver —
Number of Channels 1 —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 8 A 8 A
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
UVLO Threshold (logic-level variant) 1.9 V to 2.3 V —
UVLO Threshold (normal-level variant) 800 mV to 1.2 V (typ) —
Propagation Delay 4.5 ns (typ) —
Rise Time (typ) 19 ns —
Fall Time (typ) 19 ns —
Output On-Resistance (pull-up) 0.85 ohm —
Output On-Resistance (pull-down) 0.35 ohm —
Input Logic Inverting + Non-inverting —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +150 C —
Encapsulado SOT-23-6 (PG-SOT23-6-2) PG-SOT23-6-2
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Supported Switches MOSFET (OptiMOS, CoolMOS), GaN HEMT —
Channel Count — 1
Driver Configuration — Low-side
Input Stage — Inverting and non-inverting
Propagation Delay Accuracy — [DATA_NEEDED: typical propagation delay]
UVLO Threshold — 8 V
Driver Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range upper limit]
Temperatura de unión de funcionamiento — -40 °C to +150 °C
Recuento de pines — 6
Logic Input Compatibility — TTL / CMOS
Target Switch Type — Power MOSFET, GaN HEMT
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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