1EDN7511B vs 1EDN8511BXUSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1EDN7511B 제조: Infineon 및 1EDN8511BXUSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 1EDN7511B 1EDN8511BXUSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.38 $0.54
Driver Type Single-channel low-side gate driver —
Number of Channels 1 —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 8 A 8 A
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
UVLO Threshold (logic-level variant) 1.9 V to 2.3 V —
UVLO Threshold (normal-level variant) 800 mV to 1.2 V (typ) —
Propagation Delay 4.5 ns (typ) —
Rise Time (typ) 19 ns —
Fall Time (typ) 19 ns —
Output On-Resistance (pull-up) 0.85 ohm —
Output On-Resistance (pull-down) 0.35 ohm —
Input Logic Inverting + Non-inverting —
동작 온도 -40 C to +150 C —
패키지 SOT-23-6 (PG-SOT23-6-2) PG-SOT23-6-2
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Supported Switches MOSFET (OptiMOS, CoolMOS), GaN HEMT —
Channel Count — 1
Driver Configuration — Low-side
Input Stage — Inverting and non-inverting
Propagation Delay Accuracy — [DATA_NEEDED: typical propagation delay]
UVLO Threshold — 8 V
Driver Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range upper limit]
동작 접합 온도 — -40 °C to +150 °C
핀 수 — 6
Logic Input Compatibility — TTL / CMOS
Target Switch Type — Power MOSFET, GaN HEMT
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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