1EDN7511B vs 1EDN8511BXUSA1 比較

詳細な並列比較: 1EDN7511B メーカー: Infineon および 1EDN8511BXUSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
1EDN7511B 1EDN7511B - 4A/8A Low-Side Gate Driver IC | Infineon

1EDN7511B - 4A/8A Low-Side Gate Driver IC | Infineon

1EDN7511B ✓ 生産中
Infineon
1EDN8511BXUSA1 1EDN8511BXUSA1 - 1-Ch 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN8511BXUSA1 - 1-Ch 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN8511BXUSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1EDN7511B 1EDN8511BXUSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.38 $0.54
Driver Type Single-channel low-side gate driver —
Number of Channels 1 —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 8 A 8 A
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
UVLO Threshold (logic-level variant) 1.9 V to 2.3 V —
UVLO Threshold (normal-level variant) 800 mV to 1.2 V (typ) —
Propagation Delay 4.5 ns (typ) —
Rise Time (typ) 19 ns —
Fall Time (typ) 19 ns —
Output On-Resistance (pull-up) 0.85 ohm —
Output On-Resistance (pull-down) 0.35 ohm —
Input Logic Inverting + Non-inverting —
動作温度 -40 C to +150 C —
パッケージ SOT-23-6 (PG-SOT23-6-2) PG-SOT23-6-2
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Supported Switches MOSFET (OptiMOS, CoolMOS), GaN HEMT —
Channel Count — 1
Driver Configuration — Low-side
Input Stage — Inverting and non-inverting
Propagation Delay Accuracy — [DATA_NEEDED: typical propagation delay]
UVLO Threshold — 8 V
Driver Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range upper limit]
動作接合温度 — -40 °C to +150 °C
ピン数 — 6
Logic Input Compatibility — TTL / CMOS
Target Switch Type — Power MOSFET, GaN HEMT
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]

データシート&リソース

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