27C512-10 vs 27C512-25 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 27C512-10 por Texas Instruments y 27C512-25 por Microchip Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Texas Instruments
27C512-10 27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 ✗ Fin de vida
Microchip Technology
27C512-25 27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 Obsolete

Comparación de especificaciones

Parámetro 27C512-10 27C512-25
Marca Texas Instruments Microchip Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Fin de vida Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,70 $3,20
Tamaño de memoria 512 Kbit —
Organización de memoria 64K x 8 —
Tipo de memoria OTP EPROM (CMOS) CMOS EPROM (UV / OTP)
Access Time (Speed Grade -10) 100 ns —
Supply Voltage (VCC) +5 V with +/-10% tolerance —
Programming Voltage (VPP) +12.5 V —
Standby Current 20 uA typical (CMOS standby) —
Operating Mode Totally static operation Asynchronous
Interfaz Parallel, TTL compatible —
Address Lines 15 (A0-A14) —
Data Lines 8 (Q0-Q7), tri-state outputs —
Control Signals /E (chip enable), /G (output enable) —
Pinout Standard JEDEC-approved 28-pin EPROM pinout JEDEC-approved 28-pin
Encapsulado 28-pin DIP DIP-28
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Erase Method One-Time Programmable (not erasable) UV (windowed variant) or not erasable (OTP variant)
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Estado RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Organization — 64K x 8 (524,288 bits)
Maximum Access Time — 250 ns
Supply Voltage (Read Mode) — 5 V +/- 10%
Standby Current (CMOS) — 20 uA typical
Tipo de salida — 3-state, common I/O
Programming Method — High-voltage EPROM programming (Flashrite type)
Access Time Guarantee — Any byte in less than 250 ns
Technology — CMOS floating gate

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