27C512-10 vs 27C512-25 비교
다음의 상세 나란히 비교: 27C512-10 제조: Texas Instruments 및 27C512-25 제조: Microchip Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | 27C512-10 | 27C512-25 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Texas Instruments | Microchip Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | Obsolete |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.70 | $3.20 |
| 메모리 크기 | 512 Kbit | — |
| 메모리 구성 | 64K x 8 | — |
| 메모리 유형 | OTP EPROM (CMOS) | CMOS EPROM (UV / OTP) |
| Access Time (Speed Grade -10) | 100 ns | — |
| Supply Voltage (VCC) | +5 V with +/-10% tolerance | — |
| Programming Voltage (VPP) | +12.5 V | — |
| Standby Current | 20 uA typical (CMOS standby) | — |
| Operating Mode | Totally static operation | Asynchronous |
| 인터페이스 | Parallel, TTL compatible | — |
| Address Lines | 15 (A0-A14) | — |
| Data Lines | 8 (Q0-Q7), tri-state outputs | — |
| Control Signals | /E (chip enable), /G (output enable) | — |
| Pinout Standard | JEDEC-approved 28-pin EPROM pinout | JEDEC-approved 28-pin |
| 패키지 | 28-pin DIP | DIP-28 |
| 실장 유형 | Through Hole | Through Hole |
| Erase Method | One-Time Programmable (not erasable) | UV (windowed variant) or not erasable (OTP variant) |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS 상태 | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Organization | — | 64K x 8 (524,288 bits) |
| Maximum Access Time | — | 250 ns |
| Supply Voltage (Read Mode) | — | 5 V +/- 10% |
| Standby Current (CMOS) | — | 20 uA typical |
| 출력 유형 | — | 3-state, common I/O |
| Programming Method | — | High-voltage EPROM programming (Flashrite type) |
| Access Time Guarantee | — | Any byte in less than 250 ns |
| Technology | — | CMOS floating gate |