27C512-10 vs 27C512-25 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de 27C512-10 por Texas Instruments e 27C512-25 por Microchip Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Texas Instruments
27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments
27C512-10 ✗ Fim de vidaComparação de especificações
| Parâmetro | 27C512-10 | 27C512-25 |
|---|---|---|
| Marca | Texas Instruments | Microchip Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Fim de vida | Obsolete |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,70 | $3,20 |
| Tamanho da memória | 512 Kbit | — |
| Organização da memória | 64K x 8 | — |
| Tipo de memória | OTP EPROM (CMOS) | CMOS EPROM (UV / OTP) |
| Access Time (Speed Grade -10) | 100 ns | — |
| Supply Voltage (VCC) | +5 V with +/-10% tolerance | — |
| Programming Voltage (VPP) | +12.5 V | — |
| Standby Current | 20 uA typical (CMOS standby) | — |
| Operating Mode | Totally static operation | Asynchronous |
| Interface | Parallel, TTL compatible | — |
| Address Lines | 15 (A0-A14) | — |
| Data Lines | 8 (Q0-Q7), tri-state outputs | — |
| Control Signals | /E (chip enable), /G (output enable) | — |
| Pinout Standard | JEDEC-approved 28-pin EPROM pinout | JEDEC-approved 28-pin |
| Encapsulamento | 28-pin DIP | DIP-28 |
| Tipo de montagem | Through Hole | Through Hole |
| Erase Method | One-Time Programmable (not erasable) | UV (windowed variant) or not erasable (OTP variant) |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Status RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Organization | — | 64K x 8 (524,288 bits) |
| Maximum Access Time | — | 250 ns |
| Supply Voltage (Read Mode) | — | 5 V +/- 10% |
| Standby Current (CMOS) | — | 20 uA typical |
| Tipo de saída | — | 3-state, common I/O |
| Programming Method | — | High-voltage EPROM programming (Flashrite type) |
| Access Time Guarantee | — | Any byte in less than 250 ns |
| Technology | — | CMOS floating gate |