2EP101RXTMA1 vs 2EP110RXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EP101RXTMA1 por Infineon y 2EP110RXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EP101RXTMA1 2EP110RXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Voltage Regulators
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,88 $1,92
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
Topología Full-bridge (H-bridge) with external transformer Full-bridge (two internal half-bridges)
Supply Voltage Range 5 V to 20 V —
Maximum Output Power 5 W —
Switching Frequency Option 1 50 kHz —
Switching Frequency Option 2 65 kHz —
Duty Cycle Option 1 12% —
Duty Cycle Option 2 17% —
Número de salidas 1 (full-bridge differential primary) —
Encapsulado PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -40 °C to +125 °C —
Primary Application Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply —
RoHS Compliance Compliant —
Delivery Form Tape and Reel (XT suffix) —
Input Voltage (VCC) — 20 V nominal
Output Power — 5 W
Frecuencia de conmutación — 50 kHz / 65 kHz (selectable)
Target Loads — IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies
Temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Protection Features — Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start
Configuración de salida — Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary)
Nivel MSL — MSL 3 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Sin halógenos — Yes

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