2EP101RXTMA1 vs 2EP110RXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EP101RXTMA1 par Infineon et 2EP110RXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EP101RXTMA1 2EP110RXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Voltage Regulators
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,88 $1,92
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
Topologie Full-bridge (H-bridge) with external transformer Full-bridge (two internal half-bridges)
Supply Voltage Range 5 V to 20 V —
Maximum Output Power 5 W —
Switching Frequency Option 1 50 kHz —
Switching Frequency Option 2 65 kHz —
Duty Cycle Option 1 12% —
Duty Cycle Option 2 17% —
Nombre de sorties 1 (full-bridge differential primary) —
Boîtier PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +125 °C —
Primary Application Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply —
RoHS Compliance Compliant —
Delivery Form Tape and Reel (XT suffix) —
Input Voltage (VCC) — 20 V nominal
Output Power — 5 W
Fréquence de commutation — 50 kHz / 65 kHz (selectable)
Target Loads — IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies
Température de fonctionnement — -40C to +125C
Protection Features — Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start
Configuration de sortie — Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary)
Niveau MSL — MSL 3 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis