2EP101RXTMA1 vs 2EP110RXTMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de 2EP101RXTMA1 por Infineon e 2EP110RXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | 2EP101RXTMA1 | 2EP110RXTMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | Power MOSFET Drivers | Voltage Regulators |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,88 | $1,92 |
| Product Type | Full-Bridge Transformer Driver PMIC | Full-Bridge Transformer Driver PMIC |
| Topologia | Full-bridge (H-bridge) with external transformer | Full-bridge (two internal half-bridges) |
| Supply Voltage Range | 5 V to 20 V | — |
| Maximum Output Power | 5 W | — |
| Switching Frequency Option 1 | 50 kHz | — |
| Switching Frequency Option 2 | 65 kHz | — |
| Duty Cycle Option 1 | 12% | — |
| Duty Cycle Option 2 | 17% | — |
| Número de saídas | 1 (full-bridge differential primary) | — |
| Encapsulamento | PG-TSSOP-8 | PG-TSSOP-8 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C to +125 °C | — |
| Primary Application | Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Delivery Form | Tape and Reel (XT suffix) | — |
| Input Voltage (VCC) | — | 20 V nominal |
| Output Power | — | 5 W |
| Frequência de comutação | — | 50 kHz / 65 kHz (selectable) |
| Target Loads | — | IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies |
| Temperatura de operação | — | -40C to +125C |
| Protection Features | — | Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start |
| Configuração de saída | — | Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary) |
| Nível MSL | — | MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Livre de halogênio | — | Yes |