2EP101RXTMA1 vs 2EP110RXTMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2EP101RXTMA1 제조: Infineon 및 2EP110RXTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2EP101RXTMA1 2EP110RXTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Voltage Regulators
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.88 $1.92
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
토폴로지 Full-bridge (H-bridge) with external transformer Full-bridge (two internal half-bridges)
Supply Voltage Range 5 V to 20 V —
Maximum Output Power 5 W —
Switching Frequency Option 1 50 kHz —
Switching Frequency Option 2 65 kHz —
Duty Cycle Option 1 12% —
Duty Cycle Option 2 17% —
출력 수 1 (full-bridge differential primary) —
패키지 PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -40 °C to +125 °C —
Primary Application Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply —
RoHS Compliance Compliant —
Delivery Form Tape and Reel (XT suffix) —
Input Voltage (VCC) — 20 V nominal
Output Power — 5 W
스위칭 주파수 — 50 kHz / 65 kHz (selectable)
Target Loads — IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies
동작 온도 — -40C to +125C
Protection Features — Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start
출력 구성 — Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary)
MSL 레벨 — MSL 3 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free — Yes
할로겐 프리 — Yes

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