2N7002H6327XTSA2 vs BSS119NH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2N7002H6327XTSA2 por Infineon y BSS119NH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2N7002H6327XTSA2 BSS119NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,08 $0,12
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS (Planar) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (Tj) -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet]
Encapsulado PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet]
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Qualification Industrial / Commercial Grade AEC-Q101 (automotive grade)
FET Technology — Enhancement-mode, planar N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 500 mW
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value]
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
Packaging — Tape & Reel (3,000 pcs/reel)

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