2N7002H6327XTSA2 vs BSS119NH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2N7002H6327XTSA2 por Infineon e BSS119NH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2N7002H6327XTSA2 BSS119NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,08 $0,12
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS (Planar) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (Tj) -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet]
Encapsulamento PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet]
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Qualification Industrial / Commercial Grade AEC-Q101 (automotive grade)
FET Technology — Enhancement-mode, planar N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 500 mW
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value]
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
Packaging — Tape & Reel (3,000 pcs/reel)

Fichas técnicas e recursos

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