2N7002H6327XTSA2 vs BSS119NH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2N7002H6327XTSA2 von Infineon und BSS119NH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2N7002H6327XTSA2 BSS119NH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,08 $0,12
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS (Planar) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (Tj) -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet]
Gehäuse PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet]
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Qualification Industrial / Commercial Grade AEC-Q101 (automotive grade)
FET Technology — Enhancement-mode, planar N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 500 mW
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value]
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
Packaging — Tape & Reel (3,000 pcs/reel)

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