2N7002H6327XTSA2 vs BSS119NH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2N7002H6327XTSA2 par Infineon et BSS119NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2N7002H6327XTSA2 BSS119NH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,08 $0,12
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS (Planar) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (Tj) -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet]
Boîtier PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet]
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Qualification Industrial / Commercial Grade AEC-Q101 (automotive grade)
FET Technology — Enhancement-mode, planar N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 500 mW
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value]
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
Packaging — Tape & Reel (3,000 pcs/reel)

Fiches techniques et ressources

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