2N7002H6327XTSA2 vs BSS83PH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2N7002H6327XTSA2 por Infineon y BSS83PH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 2N7002H6327XTSA2 BSS83PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,08 $0,11
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (Planar) MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (Tj) —
Encapsulado PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade Automotive grade per Infineon
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 330 mA
Pulsed Drain Current (IDM) — 1.3 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 2.0 ohm (max)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -1 V to -2.5 V (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 360 mW
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +150 C
Process Technology — SIPMOS / OptiMOS

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