2N7002H6327XTSA2 vs BSS83PH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 2N7002H6327XTSA2 par Infineon et BSS83PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | 2N7002H6327XTSA2 | BSS83PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,08 | $0,11 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS (Planar) | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 300 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 3 ohm max @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (Tj) | — |
| Boîtier | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Qualification | Industrial / Commercial Grade | Automotive grade per Infineon |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 330 mA |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 1.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | — | 2.0 ohm (max) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1 V to -2.5 V (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 360 mW |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +150 C |
| Process Technology | — | SIPMOS / OptiMOS |