2N7002H6327XTSA2 vs BSS83PH6327XTSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de 2N7002H6327XTSA2 por Infineon e BSS83PH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | 2N7002H6327XTSA2 | BSS83PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,08 | $0,11 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS (Planar) | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 300 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 3 ohm max @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C (Tj) | — |
| Encapsulamento | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Qualification | Industrial / Commercial Grade | Automotive grade per Infineon |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 330 mA |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 1.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | — | 2.0 ohm (max) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1 V to -2.5 V (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 360 mW |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 C to +150 C |
| Process Technology | — | SIPMOS / OptiMOS |