2N7002LT1G vs FDV301N Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2N7002LT1G por onsemi y FDV301N por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2N7002LT1G FDV301N
Marca onsemi onsemi
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,02 $0,08
Polarity N-Channel —
Channel Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET —
Encapsulado SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 3 —
Categoría Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET High cell density DMOS
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] —
Tipo de transistor — N-Channel Enhancement Mode MOSFET (Digital FET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 25 V
Continuous Drain Current (Id) — 220 mA (Ta)
Peak Drain Current — 0.5 A
RDS(on) at VGS = 2.7 V — 5 ohm (typical)
RDS(on) typical — 4 ohm
Power Dissipation (Pd) — 350 mW (Ta)
Gate Drive Type — Logic level (no bias resistors required)
Temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: input capacitance]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to ambient]
Estado RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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