2N7002LT1G vs FDV301N 比較

詳細な並列比較: 2N7002LT1G メーカー: onsemi および FDV301N メーカー: onsemi。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2N7002LT1G FDV301N
ブランド onsemi onsemi
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.02 $0.08
Polarity N-Channel —
Channel Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET —
パッケージ SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
カテゴリ Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET High cell density DMOS
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] —
トランジスタタイプ — N-Channel Enhancement Mode MOSFET (Digital FET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 25 V
Continuous Drain Current (Id) — 220 mA (Ta)
Peak Drain Current — 0.5 A
RDS(on) at VGS = 2.7 V — 5 ohm (typical)
RDS(on) typical — 4 ohm
Power Dissipation (Pd) — 350 mW (Ta)
Gate Drive Type — Logic level (no bias resistors required)
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: input capacitance]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to ambient]
RoHS ステータス — [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

データシート&リソース

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