2N7002LT1G vs FDV301N Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 2N7002LT1G от onsemi и FDV301N от onsemi. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

onsemi
2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 2N7002LT1G FDV301N
Бренд onsemi onsemi
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,02 $0,08
Polarity N-Channel —
Channel Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET —
Корпус SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Количество выводов 3 —
Категория Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET High cell density DMOS
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] —
Тип транзистора — N-Channel Enhancement Mode MOSFET (Digital FET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 25 V
Continuous Drain Current (Id) — 220 mA (Ta)
Peak Drain Current — 0.5 A
RDS(on) at VGS = 2.7 V — 5 ohm (typical)
RDS(on) typical — 4 ohm
Power Dissipation (Pd) — 350 mW (Ta)
Gate Drive Type — Logic level (no bias resistors required)
Рабочая температура — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: input capacitance]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to ambient]
Статус RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену