2N7002LT1G vs FDV301N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2N7002LT1G par onsemi et FDV301N par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2N7002LT1G FDV301N
Marque onsemi onsemi
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,02 $0,08
Polarity N-Channel —
Channel Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET —
Boîtier SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
Catégorie Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET High cell density DMOS
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] —
Type de transistor — N-Channel Enhancement Mode MOSFET (Digital FET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 25 V
Continuous Drain Current (Id) — 220 mA (Ta)
Peak Drain Current — 0.5 A
RDS(on) at VGS = 2.7 V — 5 ohm (typical)
RDS(on) typical — 4 ohm
Power Dissipation (Pd) — 350 mW (Ta)
Gate Drive Type — Logic level (no bias resistors required)
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: input capacitance]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to ambient]
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fiches techniques et ressources

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