AT45DB041E-SSHN2B-T vs AT45DB041D-SU Comparación
Comparación detallada lado a lado de AT45DB041E-SSHN2B-T por Renesas Electronics y AT45DB041D-SU por Renesas Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Renesas Electronics
AT45DB041E-SSHN2B-T - 4Mbit SPI DataFlash, 85MHz, 8-SOIC | Renesas
AT45DB041E-SSHN2B-T ✓ ActivoRenesas Electronics
AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas
AT45DB041D-SU ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | AT45DB041E-SSHN2B-T | AT45DB041D-SU |
|---|---|---|
| Marca | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,40 | $0,92 |
| Tipo de memoria | Non-volatile Flash (DataFlash / NOR) | DataFLASH NOR |
| Tamaño de memoria | 4 Mbit (4,194,304 bits) | — |
| Organización de memoria | 2,048 pages x 256 bytes (or 264 bytes binary page mode) | 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard) |
| Tipo de interfaz | SPI (Modes 0 and 3) / RapidS | — |
| Frecuencia de reloj máxima | 85 MHz | 66 MHz |
| Supply Voltage (Vcc) | 1.65 V to 3.6 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C to +85 °C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulado | 8-SOIC (SOIC-N 150 mil) | 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Page Size | 256 bytes / 264 bytes | — |
| SRAM Buffers | 2 x 256/264 bytes (dual buffer) | — |
| Sector / Block Erase | Page erase as small as 256 bytes | — |
| Write Protection | Hardware, Software, and Absolute write protection | — |
| Power-on Reset | Yes (integrated) | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Format | — | FLASH |
| Density | — | 4 Mbit (4,325,376 bits) |
| Interfaz | — | SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3) |
| Tensión de alimentación | — | 2.7 V to 3.6 V |
| SRAM Data Buffers | — | 2 x 264 bytes |
| Page Program Time | — | [DATA_NEEDED: page program time] |
| Endurance | — | 100,000 program/erase cycles per page |
| Data Retention | — | 20 years minimum |
| Security Register | — | 128 bytes |
| Lead-Free | — | Yes |